تقارير: إنفيديا تدفع سامسونغ وTSMC إلى تطوير شريحة واحدة لذاكرة NVHBM

تتداول تقارير أن سامسونغ وTSMC تعملان معًا على تطوير شريحة الأساس لذاكرة HBM المخصصة من إنفيديا، المعروفة باسم NVHBM، باستخدام عملية تصنيع بدقة 3 نانومترات. ويأتي ذلك ضمن مسعى لتوحيد إنتاج الذاكرة المقرر استخدامها مع معالجات إنفيديا الرسومية من سلسلة فاينمان، بعدما قالت الشركة إن الذاكرة ستقدم أداءً أعلى من HBM4E القياسية.

نطاق ترددي أعلى واستهلاك أقل

تقول إنفيديا إن NVHBM ستوفر نطاقًا تردديًا للذاكرة أعلى بنسبة تصل إلى 30% مقارنةً بـ HBM4E، مع خفض استهلاك الطاقة بنسبة تصل إلى 15%. ويشير النطاق الترددي إلى كمية البيانات التي تستطيع الذاكرة نقلها خلال فترة زمنية محددة.

وتتكون ذاكرة HBM من طبقات DRAM مكدسة فوق شريحة أساسية تُعرف باسم «شريحة الأساس» (Base Die)، وتتولى مهام التحكم والربط أسفل طبقات الذاكرة.، فإن توحيد هذه الشريحة يمثل عنصرًا مهمًا لتحقيق أداء متسق لدى مختلف موردي الذاكرة.

وتفيد المعلومات المتداولة بأن إنفيديا طلبت من سامسونغ وميكرون وإس كيه هاينكس تصنيع شريحة الأساس وفق عملية TSMC بدقة 3 نانومترات، في حين يجب أن تعتمد شرائح الذاكرة نفسها على تقنية DRAM من الجيل السادس المعروفة باسم 1c. وبهذه الطريقة، سيستخدم الموردون الثلاثة شريحة أساس موحدة لذاكرة NVHBM.

ومن شأن استخدام عملية تصنيع واحدة أن يقلل حاجة إنفيديا إلى اختبار واعتماد عينات كل مورد بصورة منفصلة، بما يوفر الوقت والموارد ويحد من الفروقات في النتائج. وترتبط قيمة تصميم الذاكرة المخصصة بقدرته على تقديم أداء متسق، بصرف النظر عن الجهة التي تنتجها.

تحول في نموذج سامسونغ وموقف TSMC

تتبنى سامسونغ حتى الآن نموذجًا متكاملًا في إنتاج HBM، إذ تطور وتصنع كلًا من شرائح الذاكرة وشريحة الأساس ضمن نهج يُعرف باسم «تسليم المفتاح». لكن متطلبات NVHBM تدفعها، للمرة الأولى وفق التقارير، إلى الابتعاد عن هذا النموذج والتعاون مع TSMC في جزء محدد من التصنيع.

ومع ذلك، يُقال إن سامسونغ ستواصل تطوير شرائح الذاكرة وشريحة الأساس الخاصة بذاكرة HBM القياسية. كما أنها قد تلجأ إلى مصنعها الخاص إذا تجاوز الطلب على NVHBM الطاقة التصنيعية المتاحة لدى TSMC، رغم استعدادها لتحالف مؤقت مع الشركة التايوانية بسبب ارتفاع الطلب.

ولم تقتصر مطالب إنفيديا على تصنيع شريحة أساس NVHBM، إذ طلبت أيضًا من TSMC بدء إنتاج ذاكرة DRAM ثلاثية الأبعاد. غير أن TSMC أوضحت أنها لا تخطط لإنتاج 3D DRAM، وأنها ستواصل التركيز على تصنيع شرائح المنطق بدلًا من دخول هذا المسار.

دور HBM في تقليص خسائر سامسونغ

تكتسب أعمال HBM أهمية إضافية بالنسبة إلى سامسونغ، لأنها تؤدي دورًا مهمًا في تقليص خسائر قطاع المسابك لديها. ووفق تقدير سابق، انخفضت خسائر الشركة بنسبة 41% خلال عام واحد، من 6.74 تريليون وون، أي نحو 5.1 مليارات دولار، في عام 2025 إلى 3.92 تريليون وون، أي نحو 2.95 مليار دولار، في عام 2026.

المصدر: shiftdelete